IPP50R190CEXKSA1 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  IPP50R190CEXKSA1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPP50R190CEXKSA1 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 550 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 18.5 A Rds On: 0.19 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Fall Time: 7.5 ns Gate Charge Qg: 47.2 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 127 W Rise Time: 8.5 ns Series: IPP50R190 Tradename: CoolMOS Typical Turn-Off Delay Time: 54 ns Part # Aliases: SP000850802
• Количество страниц
  17 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet IPP50R190CEXKSA1.pdf
Файл формата Pdf 1,69 MB